W październiku Samsung ogłosił, że jako pierwsza firma w branży rozpocznie produkcję w technologii FinFET 10 nm na masową skalę. W porównaniu z poprzednią technologią FinFET 14 nm, 10-nanometrowa litografia umożliwia zwiększenie efektywności powierzchni o 30% przy wzroście wydajności o 27%, czy też obniżeniu zapotrzebowania na energię o 40%. Dzięki zastosowaniu technologii FinFET 10 nm w procesorze Snapdragon 835 zmniejszy się powierzchnia chipa, dając producentom możliwość zastosowania większych baterii w nowych produktach lub budowanie smuklejszych urządzeń. Udoskonalenia w procesie produkcji w połączeniu z unowocześnioną konstrukcją chipa mają również znacząco przedłużyć czas działania baterii.To wspaniale, że możemy nadal współpracować z firmą Samsung nad rozwojem czołowych produktów dla branży mobilnej - powiedział Keith Kressin, starszy wiceprezes ds. zarządzania produktami w Qualcomm Technologies - Zastosowanie nowej litografii 10 nm pozwoli zwiększyć sprawność energetyczną i wydajność naszego procesora klasy premium Snapdragon 835, jednocześnie umożliwiając nam na wprowadzenie pewnych nowych możliwości, które w przyszłości przełożą się na większą satysfakcję użytkowników urządzeń mobilnych.
Odbiornik PULSe 4K Mini
PULSe 4K Mini - najnowszy odbiornik Ultra HD od słowackiej...
449 zł Więcej...Mini PC Homatics BOX R Plus 4K
Homatics BOX R Plus to najnowszy wzbogacony m. in. o...
559 zł Więcej...Miernik Satlink ST-6986 DVB-T/T2/C DVB-S/S2 z podglądem i testerem optycznym
Miernik Satlink ST-6986 do pomiarów cyfrowych sygnałów satelitarnych DVB-S/S2, naziemnych...
1 630 zł Więcej...