W październiku Samsung ogłosił, że jako pierwsza firma w branży rozpocznie produkcję w technologii FinFET 10 nm na masową skalę. W porównaniu z poprzednią technologią FinFET 14 nm, 10-nanometrowa litografia umożliwia zwiększenie efektywności powierzchni o 30% przy wzroście wydajności o 27%, czy też obniżeniu zapotrzebowania na energię o 40%. Dzięki zastosowaniu technologii FinFET 10 nm w procesorze Snapdragon 835 zmniejszy się powierzchnia chipa, dając producentom możliwość zastosowania większych baterii w nowych produktach lub budowanie smuklejszych urządzeń. Udoskonalenia w procesie produkcji w połączeniu z unowocześnioną konstrukcją chipa mają również znacząco przedłużyć czas działania baterii.To wspaniale, że możemy nadal współpracować z firmą Samsung nad rozwojem czołowych produktów dla branży mobilnej - powiedział Keith Kressin, starszy wiceprezes ds. zarządzania produktami w Qualcomm Technologies - Zastosowanie nowej litografii 10 nm pozwoli zwiększyć sprawność energetyczną i wydajność naszego procesora klasy premium Snapdragon 835, jednocześnie umożliwiając nam na wprowadzenie pewnych nowych możliwości, które w przyszłości przełożą się na większą satysfakcję użytkowników urządzeń mobilnych.