Toshiba wprowadza pamięci flash NAND 24 nm

dodano: 2010-08-31 07:54 | aktualizacja: 2010-08-31 15:40
autor: Paulina Nietrzpiel | źródło: Toshiba

Toshiba Corporation, wzmacniając swoją pozycję lidera w rozwoju i produkcji nowoczesnych, o wysokiej gęstości zapisu pamięci flash NAND, ogłosiła, że rozpoczęła masową produkcję pamięci flash NAND wykonanych w technologii 24 nm. Wcześniej ta technologia została już zastosowana do chipów 2 bit-per-cell 64 GB, które są najmniejszymi na świecie i oferują najwyższą gęstości na jednej płytce (8 GB). Toshiba doda również 32 GB oraz 3 bit-per-cell do produktów wykonanych z technologią 24 nm, jako produkt z górnej półki.

Prosimy o wyłączenie blokowania reklam i odświeżenie strony.

Toshiba napędza przemysł produkcji wysokiej gęstości, małych rozmiarów chipów pamięci flash NAND. Dzięki zastosowaniu technologii 24 nm, będzie dalej zmniejszać rozmiar chipów. Tak więc, Toshiba ma szanse na zwiększenie produktywności i stworzenia dodatkowego ulepszenia do wysokiej gęstości, małych rozmiarów produktów. Technologiczny proces 24 nm został także wyposażony w Toggle DDR, który zwiększa prędkość transferu danych.

Ponieważ coraz więcej urządzeń mobilnych, takich jak smartfony, cyfrowe kamery wideo i tablety, zapewnia wsparcie dla zapisu wysokiej rozdzielczości zdjęć i wideo, a także edycji i przetwarzania dużych ilości danych. Rośnie popyt na pamięci mniejsze, z wyższą gęstością. Poprzez przyspieszenie procesu migracji w pamięci flash NAND, Toshiba ma zamiar wzmocnić i rozszerzyć swoją pozycję lidera na rynku pamięci NAND flash.

* 1 nm (nanometr) = 1 miliardowa część metra

Materiał chroniony prawem autorskim - wszelkie prawa zastrzeżone. Dalsze rozpowszechnianie artykułu tylko za zgodą wydawcy.